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技术资料

浅谈关于等离子体化学气相沉积技术

 

标题:浅谈等离子体化学气相沉积技术

   

等离子体化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体(非平衡等离子体)作能量源,工件置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使工件升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在工件表面形成固态薄膜。它包括了化学气相沉积的一般技术,又有辉光放电的强化作用。

 

由于粒子间的碰撞,产生剧烈的气体电离,使反应气体受到活化。同时发生阴极溅射效应,为沉积薄膜提供了清洁的活性高的表面。因而整个沉积过程与仅有热激活的过程有显着不同。这两方面的作用,在提高涂层结合力,降低沉积温度,加快反应速度诸方面都创造了有利条件。

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等离子体化学气相沉积技术按等离子体能量源方式划分,有直流辉光放电、射频放电和微波等离子体放电等。随着频率的增加,等离子体强化CVD过程的作用越明显,形成化合物的温度越低。

 

PCVD的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。气源需用气体净化器除去水分和其它杂质,经调节装置得到所需要的流量,再与源物质同时被送入沉积室,在一定温度和等离子体激活等条件下,得到所需的产物,并沉积在工件或基片表面。所以,PCVD工艺既包括等离子体物理过程,又包括等离子体化学反应过程。

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