浅谈等离子清洗机的蚀刻工艺

某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。

  工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。

  近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式，这种设计的是富有弹性的，用户可以移去架子来配置合适的等到离子体的蚀刻方法：反应性等离子体（RIE），顺流等离子体（downstream），直接等离子体（direction plasma）。

  所谓直接等离子体，亦称作反应离子蚀刻，是等离子的一种直接浸蚀形式。它的主要优势是高的蚀刻率和高的均匀性。直接等离子体具有较低浸蚀但工件却暴露在射线区。顺流等离子是种较弱的工艺，它适合去除厚为10-50埃的薄层。

  在射线区或等离子中，人们担心工件受到损坏，目前，这种担心还没有证据，看来只有在重复的高射线区和延长处理时间到60-120分钟才可能发生，正常情况下，这样的条件只在大的薄片及不是短时的清洗中。

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